ニュース記事
金沢工大百瀬氏、SDM研究会若手優秀発表賞受賞！
SDM研究会若手優秀発表賞選奨委員会での審査の結果、平成29年度の若手優秀発表賞の受賞者として、金沢工大井田研の修士学生、百瀬駿氏の
“急峻なSSを持つPN-Body Tied SOI FETを用いた高効率RFエネルギーハーベスティング用Gate Controlled Diodeの特性”
が選ばれました。
この賞は、電子情報通信学会のシリコン材料・デバイス（SDM）研究会に投稿し、講演を行った若手研究者のうち、特に優秀な発表を行った者に対して授与されます。
またこの研究は、新学術領域研究計画研究班「SOI ３次元ピクセルプロセスの研究」の一部として行われました。